Integration neuer Materialsysteme
MEMS-/ NEMS Sensoren und Aktuatoren und deren Kombination mit CMOS-Prozessen
Hochfrequenztaugliche MEMS und SiGe-Elemente
Entwicklung neuartiger Bauelemente in BEoL-Bereich
Bauelement- und Systemintegration auf 300 mm Wafer
Verbindungshalbleiter für Leading-Edge-Bauelemente und Schaltungen für Frequenzen bis zu 800GHz
Leistungstransistoren auf Basis von Wide-Bandgap-Halbleitern sowie optoelektronische Bauelemente
Weiterentwicklung von Sondersubstraten (z.B. SiC, AIN, Ga2O3)
![Massive MIMO Transmitter](/de/unser-angebot/technologiekompetenzen/materialien-und-prozesse-i-bauelemente-und-komponenten/jcr:content/contentPar/sectioncomponent/sectionParsys/textwithasset/imageComponent/image.img.jpg/1548336827877/Materialien-und-Prozesse-IAF.jpg)