Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik in Kooperation mit den Leibniz-Instituten FBH und IHP
Die Technologieplattform Leistungselektronik bietet fundierte Kenntnisse in der Materialforschung und Verarbeitung von Halbleitern mit großer Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Im Vergleich zur herkömmlichen Leistungselektronik auf Si-Basis, ermöglichen die WBG-Halbleiter Geräte, die energieeffizienter sind und auch bei höheren Betriebstemperaturen ein schlankeres Modul- / Systemdesign aufweisen. In unseren einzigartigen Reinraumanlagen sind wir in der Lage, Geräte in Si-, SiC- oder GaN-basierte Technologien einzubauen.
Die FMD bietet tiefgreifendes Know-how in der Materialforschung und der Prozessierung von Wide Bandgap (WBG) Halbleitern wie Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN):
- Vollintegrierte 150 mm-Linie zur Herstellung von hochmodernen SiC-Geräten; Integration auf kostengünstigen 200 mm Si-Substraten für GaN-basierte Technologien
- Fähigkeit zur Herstellung von Si-, SiC- oder GaN-basierten Technolgien
- Neue Gerätekonzepte wie vertikale GaN-Transistoren, Al-GaN-/GaN-basierte Geräte für schnelle Schaltvorgänge und künftige WBG Halbleiter wie Aluminiumnitrid (AlN) und Galliumoxid (Ga2O3)
- Integration von Einzelgeräten in Module und Systeme: Heterogene-System-Integration ebenso wie Charakterisierung von Einzelgeräten, integrierten Modulen oder kompletten Systemen
