© Fraunhofer IPMS
2200 Geräte in 13 Reinräumen verteilt über ganz Deutschland
mehr als 19 500 m2 Reinraumfläche
über 10 Millionen Moves pro Jahr
Wafer-Größen von 2“ bis 300 mm
Halbleitermaterialien von Si über SiGe zu Verbindungshalbleitern wie SiC, GaN, GaAs, InP und vielem mehr
Zum Download
7 Reinräume, teilweise mit Automotive Zertifizierung
200 mm BiCMOS / CMOS Linien, inkl. FEOL and BEOL Module
Angebot an Spezialtechnologien, wie HV CMOS und Hochtemperatur CMOS (bis 300 °C)
Schnittstelle zu Foundry Unternehmen
300 mm Material-, Prozess- und Equipmentscreening Linie
200 mm / 300 mm Packaging Linien
Anwendung von automatisiertem Inline Prozess Monitoring
Frontend- und Backend Kontaminationsmanagement und –kontrolle
Einzelprozessentwicklung und –optimierung, wie zum Beispiel Ätzen, ALD/ALE, Nassreinigung, Annealing, Epitaxie (Si,SiGe), Implantation,CMP und vieles mehr
6 Reinräume mit 200 mm MEMS Linien und Foundry
Schnittstellen zu Foundry Unternehmen
ausgewählte Prozesse auf 300 mm Waferdurchmesser
200 / 300 mm Packaging Linien
Frontend- und Backend Kontaminationsmanagement und –kontrolle
Einzelprozessentwicklung und –optimierung, wie zum Beispiel Ätzen – tiefes Si Ätzen, ALD/ALE, Nassreinigung, Piezomaterialien und vieles mehr
SiC-Prototyp-Foundry: Herstellung von Siliziumcarbid-Bauteilen mit Wafergrößen von 100 mm und 150 mm am Fraunhofer IISB
InP Foundry: InP-Processing bis zu 4” und InP-based Photonic-Integrated Circuits am Fraunhofer HHI
GaN-on Si 200 mm am Fraunhofer IAF & ISIT
Typische III-V-Halbleiter: GaAs, InxGa1-xAs, InxGa1-xAsyP1-y, InP, GaN, AlGaN, AlN, AlScN, GaSb und weitere
Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik in Kooperation mit den Leibniz-Instituten FBH und IHP